В Российском федеральном ядерном центре «Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» (ВНИИЭФ) в Сарове создана суперЭВМ петафлопного класса.

«Введение недавно в строй суперкомпьютера петафлопного класса в Российском федеральном ядерном центре «Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» (ВНИИЭФ) в Сарове – это крупное событие в российской науке и технике», – заявил в четверг, 10 марта, в комментарии порталу ER.RU заместитель руководителя фракции «Единая Россия» в Госдуме РФ, академик РАН Андрей Кокошин.

По словам Кокошина, эта суперЭВМ является весомым вкладом в укрепление национальной безопасности и национальной конкурентоспособности России.

«Важно, что эта суперЭВМ базируется, в том числе, на оригинальных разработках ВНИИЭФ, что этот вычислительный комплекс оснащен программным обеспечением, основные компоненты которого также разработаны и адаптированы специалистами ВНИИЭФ», – сказал Кокошин

Как отметил Кокошин, создание этого высокопроизводительного вычислительного комплекса еще раз подтвердило высокий уровень ученых и специалистов Российского федерального ядерного центра, то, что этот центр «является одним из очевидных лидеров нашей науки и техники по широкому спектру тем».

Создание этого суперкомпьютерного комплекса выполнялось в рамках проекта Комиссии при Президенте РФ по модернизации и технологическому развитию экономики России «Развитие суперкомпьютеров и грид-технологий». ВНИИЭФ отмечает, что значительная часть вычислительных ресурсов супер-ЭВМ будет выделена предприятиям высокотехнологичных отраслей промышленности – авиационной, атомной, космической, автомобильной – для проведения расчетов в удаленном режиме в интересах проектирования и разработки наукоемкой конкурентоспособной продукции.

Прорыв в области технологий изготовления микрочипов может кардинально изменить то, как мы пользуемся смартфонами или ноутбуками. Если сегодня от одного заряда батареи большинство устройств способны проработать максимум пару дней, то в будущем этот срок может составить до нескольких недель. Как сообщают Вести, об этом пишет The Daily Telegraph.

Исследователи из Университета штата Иллинойс уверены, что разработанный ими метод позволит сотовым трубкам (а также любой другой электронике, работающей от аккумуляторов) расходовать заряд батареи до 100 раз медленнее, чем сегодня.

Инженеры отмечают, что тонкие металлические полоски в чипах памяти, через которые ток пропускается каждый раз, когда устройство обращается к хранимым в памяти данным, являются одним из главных "виновником" расходования заряда.

Исследователи из Иллинойского университета полагают, что если, по разработанной ими технологии, заменить металл на углеродные нанотрубки, чипы можно сделать компактнее на несколько порядков, что соответствующим образом сократит потери энергии.

Как полагает руководитель исследования, профессор Эрик Поп, энергоэффективность мобильных устройств может в будущем повыситься до такой степени, что для их питания будет достаточно кинетической энергии, солнечного света или тепла человеческого тела.

А то просто надоедают разбросанные по полу провода различных зарядок